系列IGBT系列
封装国际封装
批号new
型号齐全
库存充足
FF75R12RT4模块具有以下主要特点：
额定电压：1200V
额定电流：75A
大导通电压降：1.8V
大漏电流：75A
封装类型：模块封装
该模块采用了英飞凌的技术和设计，具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证，以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。
额定电压：1200V
额定电流：75A
大导通电压降：1.8V
大漏电流：75A
封装类型：模块封装
该模块采用了英飞凌的技术和设计，具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证，以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。
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FF75R12RT4
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FF75R12RT4是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件，常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。
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FF100R12YT3
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FF100R12YT3是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件，常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。
BSM200GB120DN2是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件，常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。
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BSM200GB120DN2
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BSM200GB120DN2是英飞凌（Infineon）生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件，常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。
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